與更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)相伴而生的不利之處在于，隨著器件尺寸的縮小，那些在以前節(jié)點(diǎn)上曾經(jīng)不太重要的缺陷和顆粒可能會(huì)變成器件殺手。這樣一來，就要求器件制造商具備更強(qiáng)大的、能夠?qū)υ絹碓叫〉娜毕莺皖w粒進(jìn)行檢測的能力。雖然在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)剛剛起步時(shí)，檢測能力與尺寸縮小的缺陷之間的賽跑就已經(jīng)開始并持續(xù)至今。但是現(xiàn)在及不遠(yuǎn)的將來，對(duì)3D結(jié)構(gòu)進(jìn)行形狀表征面臨著巨大障礙和各種基本限制，會(huì)給檢查、測量和測試平臺(tái)技術(shù)帶來嚴(yán)重的挑戰(zhàn)。

浸沒式光刻帶來的困難

浸沒式光刻將加大缺陷檢測的難度。正如Applied Materials公司工藝診斷和控制部門的市場策略經(jīng)理Ehud Tzuri所說的那樣，發(fā)現(xiàn)缺陷的難度增大“不僅是因?yàn)槌霈F(xiàn)新的缺陷類型，還因?yàn)槿毕莸某叽绱笮　４蠖鄶?shù)的新缺陷都很大而且通常已被很好地了解，比如與浸沒式光刻有關(guān)的水泡、水痕等等。”這些缺陷能夠被控制到與干法光刻相同的程度，因?yàn)橐呀?jīng)知道它們的來源。

然而似是而非的是，由于浸沒式光刻的分辨率更高，因此出來尺寸更小的致命缺陷。晶圓上超過70％的缺陷都小于50nm。在早期的表征過程中，許多缺陷會(huì)被以前的設(shè)備漏檢，不是因?yàn)樗鼈儾淮嬖冢且驗(yàn)檫@些設(shè)備無法檢測到它們。這些小的橋接、基腳等極微小的缺陷——曾經(jīng)被忽略或不用確認(rèn)——現(xiàn)在已經(jīng)變得很重要了（圖1）。

必須對(duì)這些微小的缺陷進(jìn)行檢測。“提高分辨率是最佳的辦法。”Tzuri說：“然而，傳統(tǒng)的明場顯微鏡，即便是用DUV光源，也已經(jīng)達(dá)到分辨率的極限了。因此不可能分辨出非常密集的圖形，比如目前小于55nm的NAND閃存圖形。” Applied Materials公司的解決方案使用結(jié)合深紫外（DUV）和激光照明的3-D采集方法，從而使缺陷檢測的分辨率能夠達(dá)到1/10波長的范圍。

隨著22nm節(jié)點(diǎn)的接近，光學(xué)檢查將遇到很多問題，因此用電子束設(shè)備來檢測極微小缺陷的必要性不斷上升。這就要求提高電子束設(shè)備的單位時(shí)間的產(chǎn)量以適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)的需要——一個(gè)工程性的挑戰(zhàn)。當(dāng)然，光學(xué)和電子束方法可能會(huì)被結(jié)合使用。

有用的破壞性方法

FEI公司納米電子事業(yè)群的產(chǎn)品市場經(jīng)理Larry Dworkin相信，在32和22nm節(jié)點(diǎn)，對(duì)TEM數(shù)據(jù)的需求會(huì)大為增加。“系統(tǒng)被用于在整個(gè)晶圓上進(jìn)行FIB輔助的TEM薄層準(zhǔn)備工作，而晶圓的其余部分則能夠被送回生產(chǎn)線。用TEM來分析這片小的薄層就可以確認(rèn)缺陷的產(chǎn)生根源。”一些65和45nm器件制造商已經(jīng)在這樣做，而且將來還可能需要更多的掃描TEM和TEM圖像，來研究那些只能通過電子束檢查或電子探針來觀察的缺陷（圖2）。


在22nm節(jié)點(diǎn)到來之前，TEM必須從離線的實(shí)驗(yàn)室技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)檫M(jìn)入fab的線上技術(shù)。短期目標(biāo)是使檢測周期縮短到2小時(shí)左右，而長期目標(biāo)則是必須具有移動(dòng)性。在應(yīng)變硅領(lǐng)域需要考慮的重要因素是，當(dāng)晶圓被切開時(shí)，樣品內(nèi)的應(yīng)力會(huì)發(fā)生變化。這就要求采用新的TEM樣品準(zhǔn)備技術(shù)以防止薄層的變形。

在通往22nm節(jié)點(diǎn)的道路上，缺陷檢測問題的嚴(yán)重程度將主要取決于我們是否使用目前的晶體管設(shè)計(jì)——盡管變得更小——在這種情況下會(huì)更多地用到TEM；標(biāo)準(zhǔn)的截面SEM和基本的自頂至底的CD-SEM無法測量或量化那些必須被觀察的缺陷。取而代之的是finFET等3D結(jié)構(gòu)。然而，傳統(tǒng)的SEM和自頂至底CD-SEM技術(shù)不足以測量這些結(jié)構(gòu)，因此非破壞性的測量技術(shù)成為必須。

一個(gè)明顯的選擇是散射測量。但問題在于它是否能夠處理尺寸微小的、復(fù)雜度高的finFET結(jié)構(gòu)，以及是否需要進(jìn)行截面測量來幫助建立和驗(yàn)證散射測量的模型，或者是否最終需要這種技術(shù)來驗(yàn)證在線測量的結(jié)果。如果需要散射測量來全面了解finFET結(jié)構(gòu)在22nm節(jié)點(diǎn)會(huì)發(fā)生什么，某些形式的截面測量可能是不可避免的。

分辨率和材料

設(shè)計(jì)規(guī)則的縮小推動(dòng)了分辨率的提高。測量設(shè)備必須提供更高的分辨率來測量尺寸等于或小于設(shè)計(jì)規(guī)則的缺陷，特別是對(duì)邏輯電路而言。KLA-Tencor公司晶圓檢查事業(yè)群的副總裁Mike Kirk相信，這不但會(huì)推動(dòng)光學(xué)系統(tǒng)及其保真度的提升，還會(huì)提高圖像計(jì)算的要求，因?yàn)楸仨毺幚砀〉男畔⑾袼亍Ｋf：“從0.25mm節(jié)點(diǎn)到現(xiàn)在，像素的尺寸大約縮小了3倍。”

根據(jù)Kirk所說，向更高分辨率發(fā)展的速度很慢，因?yàn)槿绻捎?0nm的像素，測量設(shè)備的操作會(huì)變得很慢和很貴。他說：“正如掃描式光刻機(jī)的開發(fā)者關(guān)注k因子一樣，我們也有一個(gè)類似的因子，稱之為缺陷與像素的比率。通過在像素尺寸給定的條件下找到尺寸不斷變小的缺陷，我們不斷地嘗試著提高這個(gè)比率。為了獲得更多的信息，我們必須縮小像素。這意味著更好的處理過程、更好的算法和對(duì)于給定像素的分辨率更高的光學(xué)系統(tǒng)——更高的數(shù)值孔徑。”

另一個(gè)涉及到的問題與新材料有關(guān)。確定一個(gè)缺陷的物理起因以及其光學(xué)或電學(xué)圖像是很復(fù)雜的。由于存在近場干涉效應(yīng)，電介質(zhì)也或多或少會(huì)吸收一些光，而且測量設(shè)備不能被設(shè)計(jì)成只針對(duì)具有特定厚度、n和k值的給定層（因?yàn)橛脩粜枰淖儨y量要求以針對(duì)下一個(gè)節(jié)點(diǎn)的器件或稍有不同的器件），因此要求不同的光學(xué)性質(zhì)。光學(xué)系統(tǒng)的照明和檢測方案都必須具有足夠的靈活性，以應(yīng)對(duì)可能會(huì)被采用的不同結(jié)構(gòu)或材料。

在開發(fā)階段，計(jì)量供應(yīng)商必須與fab緊密合作。器件制造商不會(huì)只因?yàn)槟撤N材料具有所需的電學(xué)性質(zhì)或熱管理預(yù)算就決定使用它；他們還想知道它能否被檢查、測量和控制。他們在工藝開發(fā)的早期就做好相關(guān)的決定，然后請(qǐng)計(jì)量供應(yīng)商為先進(jìn)的材料和設(shè)計(jì)規(guī)則提供設(shè)備來幫助他們選擇。Kirk 說：“問題在于他們可能會(huì)先選擇六種不同的設(shè)備，而后來卻決定只用一種，因此我們必須幫助提供所有的六種設(shè)備，并且需要在合適的時(shí)間擁有合適的測試平臺(tái)。”這意味著在很早的階段就應(yīng)該為fab進(jìn)行復(fù)雜的缺陷和器件建模，以保證設(shè)備具有合適的數(shù)值孔徑、照明、波長、角度和采集幾何結(jié)構(gòu)。

粗糙度問題

亞22nm節(jié)點(diǎn)的缺陷檢測和噪聲抑制是有待解決的棘手問題。在制作柵極線條時(shí)，圖形轉(zhuǎn)移一般都是不完美的，而且器件的邊緣都會(huì)存在一些粗糙度。芯片與芯片之間（die-to-die）或晶體管與晶體管之間不可能是完全均勻的。Kirk說：“設(shè)備將它（非均勻性造成的局部漲落）當(dāng)作缺陷，而用戶在其尺寸大到足以引起麻煩之前不希望它被標(biāo)記出來。”問題是沒有人能夠先驗(yàn)地知道這個(gè)尺寸將是多大。在線邊緣粗糙度的范疇內(nèi)，可能會(huì)在溝槽底部找到一個(gè)小的基腳。這個(gè)從線條內(nèi)伸出的小突刺會(huì)導(dǎo)致短接或泄漏；因此，必須采集來自尺寸小于20或15nm的特征結(jié)構(gòu)的信號(hào)，而這些信號(hào)被掩藏在LER背底噪聲的海洋內(nèi)。